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삼성전자가 고대역폭 메모리(HBM) 사업 경쟁력 강화에 사활을 걸고 있다.SK하이닉스와 격차를 좁히고 시장 주도권을 가져올 수 있을지 관심이 쏠린다.
4일 업계에 따르면 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문은 이날 자로 HBM 개발팀 신설을 골자로 하는 조직 개편을 실시했다.전영현 부회장이 새 반도체 수장을 맡은 지 한 달여 만에 첫 조직 개편을 실시한 것이다.
AI 시장 확대로 HBM 수요가 급증하는 가운데 HBM 기술 리더십을 강화하고 경쟁력을 키우기 위한 것으로 풀이된다.신임 HBM 개발팀장은 고성능 D램 제품 설계 전문가인 손영수 부사장이 맡는 것으로 알려졌다.
이번에 신설되는 HBM 개발팀은 HBM3와 HBM3E뿐 아니라 차세대 HBM4 기술 개발에 집중할 것으로 보인다.
삼성전자는 2015년부터 메모리사업부 내에서 HBM 개발 조직을 운영해 온 데 이어 이번 조직 개편으로 HBM 전담 조직을 한층 강화해 차세대 연구개발에 힘을 싣는다는 방침인 것으로 알려졌다.
삼성전자는 지난 2월 업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단을 구현하기도 했다.현재 HBM3E 8단과 12단 제품은 엔비디아의 품질 테스트를 진행 중이다.
이를 통해 HBM과 차세대 패키지 기술 리더십을 강화하고 전반적인 기술 경쟁력도 확보한다는 방침이다
삼성전자는 지난 5월 21일 반도체 사업 수장을 전 부회장으로 전격 교체하는 등 초격차 경쟁력 확보를 위해 분위기 쇄신에 나선 상태다.
엔비디아 품질 테스트 통과에 대한 기대감도 높다.경쟁사인 SK하이닉스가 AI칩 선두주자인 엔디비아에 HBM을 공급하면서 실적이 크게 뛰었기 때문이다.AI 시장 확대로 HBM 물량 선점 경쟁이 본격화하면서,헤이지스톤 슬롯HBM이 D램 시장에서 차지하는 비중도 갈수록 커지고 있다.
송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장(사장)은 지난 3일 "D램과 낸드,헤이지스톤 슬롯로직 테크놀로지 등 모든 기술을 가진 삼성에 좋은 기회가 있을 것"이라고 밝혔다.
송 CTO는 전날 경기 고양시 킨텍스에서 열린 '나노코리아 2024'에서 '더 나은 삶을 위한 반도체 혁신'을 주제로 한 기조연설을 통해 이같이 말했다.또 연설이 끝난 뒤 취재진과 만나 엔비디아에서 진행 중인 HBM 품질 테스트와 관련해 "열심히 하고 있다.좋은 결과가 있을 것"이라고 답했다.
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