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삼성전자가 2027년 첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 기술을 도입한다. 인공지능(AI) 칩 개발에서부터 위탁생산,하트 오브 미들로디언 fc 대 셀틱 순위조립에 이르는 원스톱 AI 칩 생산 서비스를 강화하고,하트 오브 미들로디언 fc 대 셀틱 순위 AI 칩 수요에 적극 대응해 세계 최대 파운드리 업체 TSMC를 따라잡겠다는 계획이다.
삼성전자는 현재 파운드리와 메모리,어드밴스드 패키지(첨단조립)를‘원팀’으로 제공하고 있는 AI 칩 생산을 위한 원스톱 턴키(일괄) 서비스를 2027년 더욱 강화할 계획이라고 밝혔다.
삼성전자는 현재 파운드리의 시스템 반도체와 메모리의 고대역폭(HBM),하트 오브 미들로디언 fc 대 셀틱 순위이를 패키징하는 통합‘AI 설루션’을 통해 고성능 저전력 AI 칩 제품 출시를 해오고 있다.
이를 통해 기존 공정 대비 칩 개발에서부터 생산에 걸리는 시간을 약 20% 단축하고 있다고 삼성전자는 설명했다.
2027년에는 새로운 파운드리 기술을 도입해 이를 더욱 강화한다는 방침이다.
우선 2027년까지 2나노(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 공정에‘후면전력공급(BSPDN)’기술을 도입(SF2Z)하기로 했다.
삼성전자는 이미 내년부터 2나노 공정을 시작한다고 밝힌 바 있는데,하트 오브 미들로디언 fc 대 셀틱 순위여기에‘후면전력공급’ 기술을 탑재한다는 것이다‘후면전력공급’은 전력선을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 고난도 기술로,하트 오브 미들로디언 fc 대 셀틱 순위아직 상용화 사례가 없다.
그동안 반도체 전력선은 웨이퍼 앞면에 회로를 그렸지만,후면에도 이를 그리게되면 초미세화 공정을 구현할 수 있는‘게임 체인저’로 평가받아왔다.대만 TSMC는 2026년 말 2나노 이하 1.6공정에‘후면전력공급’ 기술을 도입하겠다고 밝힌 바 있다.
삼성전자는 후면전력공급 기술을 통해 기존 2나노 공정 대비 소비전력·성능·면적의 개선 효과와 함께 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 전압 강하 현상을 대폭 줄여 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상할 것으로 기대하고 있다.
삼성전자는 또 2027년에는 AI 설루션에 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한,하트 오브 미들로디언 fc 대 셀틱 순위빛을 이용한 광학 소자 기술까지 통합할 계획이다.
아울러 2025년에는 기존 4나노 공정에 칩을 더 작게 만들면서 성능을 높이는‘광학적 축소’ 기술을 도입(SF4U)해 양산할 예정이라고 밝혔다.
삼성전자 파운드리 사업부 최시영 사장은 이날 기조연설에서 “AI 시대 가장 중요한 건 AI 구현을 가능케 하는 고성능·저전력 반도체”라며 “AI 반도체에 최적화된게이트올어라운드(GAA) 공정 기술과 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 설루션을 제공할 것”이라고 말했다.
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