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그리스 대 프랑스 - 2024년 실시간 업데이트
최대생산 전략 논의하고 제조라인 가동률 향상 지시삼성전자가 메모리 생산량을 적극 확대하려는 움직임을 보이고 있다.HBM(고대역폭메모리)와 최선단 제품으로 공정 전환을 적극 추진하면서,내년 레거시 메모리 생산능력이 매우 이례적으로 감소하는 현상이 나타날 수 있다는 전망 때문이다.
실제로 삼성전자는 메모리 제조라인에 최대 생산,설비 가동률 상승 등을 적극 주문하고 있는 것으로 파악됐다.
27일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 메모리 라인 전반을 최대로 가동하는 방안을 추진하고 있다. 삼성전자 화성캠퍼스(사진=삼성전자) 
사안에 정통한 업계 관계자는 "이달부터 삼성전자 메모리사업부 내에서 D램과 낸드 모두 최대 생산 기조로 가야한다는 논의가 계속 나오고 있다"며 "메모리 가격 변동세와 무관하게 우선 생산량을 확대하는 것이 주요 골자"라고 설명했다.
실제로 삼성전자는 이달 중순 메모리 생산라인에 '정지 로스(Loss)'를 다시 관리하라는 지시를 내린 것으로 파악됐다.
정지 로스란 라인 내 설비가 쉬거나 유지보수 등의 이유로 가동을 멈추는 데 따른 손실을 뜻한다.삼성전자는 메모리 업계 불황으로 가동률이 낮았던 지난해 정지 로스 관리를 중단한 바 있다.정지 로스 관리의 재개는 설비의 가동률을 다시 끌어올리겠다는 의미다.
삼성전자가 메모리를 최대 생산 기조로 전환하려는 이유는 생산 능력에 있다.현재 삼성전자는 내부적으로 내년 비트(bit) 기준 레거시 메모리 생산능력이 역성장할 수 있다는 전망을 제시하고 있는 것으로 알려졌다.
내년 메모리 생산능력의 역성장을 촉진하는 가장 큰 요소는 '공정 전환'이다.삼성전자는 올해 초부터 HBM을 위한 투자에 대대적으로 나서고 있으며,국내외 공장에서 기존 레거시 D램 및 낸드를 최선단 제품으로 전환하기 위한 작업에 착수했다.
먼저 D램의 경우,그리스 대 프랑스삼성전자는 주력 제품인 1a(4세대 10나노급) D램을 HBM 생산에 투입하고 있다.삼성전자가 올해 말까지 HBM의 최대 생산능력을 월 17만장 수준까지 확대할 것으로 예상되는 만큼,HBM향을 제외한 1a D램의 생산은 더 빠듯해질 전망이다.
또한 삼성전자는 최선단 D램 제품인 1b D램(5세대 10나노급)의 생산량 확대를 계획하고 있다.이를 위해 평택 P2와 화성 15라인의 기존 1z D램(3세대 10나노급) 공정이 1b D램용으로 전환될 예정이다.올해까지 생산능력을 월 10만장가량 확보하는 게 목표다.
낸드의 경우 중국 시안 팹에서 기존 V6 낸드 공정을 V8로 전환하기 위한 투자가 올 1분기부터 진행되고 있다.시안 낸드팹은 총 2개 라인으로 구성돼 있는데,이 중 1개 라인부터 전환이 이뤄지고 있다.
반면 메모리 수요는 올해 내내 공급을 웃도는 수준을 보일 것으로 관측된다.최근 실적을 발표한 마이크론도 "2024년 비트 수요 증가율은 D램과 낸드 모두 10%대 중반이 될 것으로 예측된다"며 "반면 공급은 D램과 낸드 모두 수요를 밑돌 것"이라고 밝혔다.
업계 관계자는 "삼성전자가 올해 초까지 메모리 재고를 상당 부분 비웠고,그리스 대 프랑스내년 메모리 빗그로스가 감소하면 공급이 빠듯할 수 있다는 우려를 표하고 있다"며 "생산라인 전반에 걸쳐 생산량 확대를 종용하는 분위기"라고 설명했다.
