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포항공대와 공동연구 통해 규명 수직-반응형 ECRAM 시냅스 반도체 소자(左)와 3차원 다중 수직-반응형 ECRAM 시냅스 반도체의 모식도(中),bts 슬롯투과전자현미경 (TEM) 단면 사진(右).ⓒ한국재료연구원[데일리안 = 김소희 기자] 한국재료연구원은 김용훈 에너지·환경재료연구본부 박사 연구팀이 황현상 포항공과대학교 교수 연구팀과 공동 연구를 통해 3차원 초고집적 뉴로모픽 시냅스 소자를 구현하는 데 성공했다고 1일 밝혔다. 
bts 슬롯투과전자현미경 (TEM) 단면 사진(右).ⓒ한국재료연구원" style="display: block; margin: 0 auto;">
재료연에 따르면 해당 기술은 저온에서 합성한 반데르발스 2차원 나노소재를 드레인 전극과 이온 배리어 층에 동시 적용함으로써,bts 슬롯수직-반응형 ECRAM 소자를 3차원으로 초고집적화시킨 기술이다.
시냅스 소자 구현을 위해서는 이온의 이동을 정밀하게 제어하는 기술이 필요한데,bts 슬롯만약 이의 제어가 어려우면 원하는 저항값을 얻기 힘들다.
본 연구팀은 채널과 이온 전해질 층 사이에 2차원 나노소재로 만든 배리어 층을 통해 이온 이동을 제어했다.그 결과 선형성 및 대칭성,내구성과 같은 고성능의 시냅스 특성을 구현할 수 있었다.또한 95.22% 수준의 높은 손글씨(MNIST) 패턴 인식 정확도를 달성한 것을 확인했다.
기존에는 ECRAM 소자에서 전해질 층의 이온 이동 제어를 위한 배리어 층을 제작할 때 그래핀과 같은 이차원 소재를 활용했다.이는 전사 과정이 요구되어 고집적도 및 높은 수율의 시냅스 반도체 소자를 구현하기 어려웠다.
이를 개선하고자 본 연구팀은 200℃ 이하 저온에서 직접 이차원 소재를 성장하는 합성법을 접목해,bts 슬롯전사 과정 없이 이온 배리어 층 제작에 성공했다.또 다중 적층 3차원 수직-반응형 ECRAM의 독립적인 가중치 업데이트 특성을 확인해 초고집적도 3차원 기반의 시냅스 어레이 제작에 대한 잠재력 또한 입증했다.
연구팀은 3차원 초고집적 뉴로모픽 시냅스 소자 개발을 통해 인공지능 반도체 구현에 필요한 대규모 연산을 초고속,bts 슬롯초저전력으로 실행하는 핵심 소재 및 공정기술 개발에 성공했다.
김용훈 재료연 책임연구원은 “반데르발스 2차원 반도체 소재에 대한 연구가 10년 이상 이어졌지만 상용화에는 접근하지 못하고 있는 상황”이라며 “이번 연구 결과를 바탕으로 2차원 반도체 소재의 대면적 합성과 전자소자 상용화 및 반도체 공정에 적용하기 위한 연구를 지속해 나가겠다”고 말했다.
