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1대 도입 후 연구개발 본격화…High-NA EUV 관련 팀 신설하기도SK하이닉스가 최선단 메모리를 위한 하이(High)-NA EUV 기술 개발을 가속화한다.오는 206년 ASML로부터 첫 하이-NA EUV 설비를 1대 도입할 예정으로,토모리 잉글랜드 등번호현재 관련 연구개발 팀 신설 및 인력 확충에도 만전을 기하고 있는 것으로 알려졌다.
16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 2026년 하이-NA EUV 설비를 도입할 예정이다.
지난 12일 열린 '차세대 리소그래피 + 패터닝' 학술대회에 참석한 SK하이닉스 EUV소재기술 담당 임원은 기자와 만나 "하이-NA EUV 설비는 2026년 도입할 예정"이라며 "현재 회사에 하이-NA EUV 개발 인력이 더 많아지고 있다"고 설명했다.
EUV는 기존 반도체 노광공정 소재인 ArF(불화아르곤) 대비 빛의 파장이 13분의 1 수준으로 짧아(13.5나노미터),초미세 공정 구현에 용이한 광원이다.7나노미터(nm) 이하의 시스템반도체,1a(4세대 10나노급) D램부터 본격적으로 적용되고 있다.
High-NA EUV는 EUV에서 성능을 한 차례 더 끌어 올려 2나노 공정을 타겟으로 한다.NA는 렌즈 수차로,해당 수치를 높일 수록 해상력이 향상된다.기존 EUV의 렌즈 수차는 0.33로,High-NA EUV는 0.55로 더 높다.
다만 EUV 노광장비는 기술적 난이도가 매우 높은 기술로,현재로선 전 세계에서 네덜란드 장비회사인 ASML만이 유일하게 양산 가능하다.때문에 장비 수급에 여러 제약 사항이 있으며,토모리 잉글랜드 등번호장비 가격도 매우 비싸다.실제로 ASML의 첫 High-NA EUV 장비인 'EXE:5000' 모델은 5천억 원을 호가하는 것으로 알려져 있다.
그럼에도 EXE:5000은 인텔과 TSMC,토모리 잉글랜드 등번호삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 메모리 기업으로부터 뜨거운 관심을 받고 있다.해당 설비를 처음 주문한 기업은 인텔로,ASML은 지난해 12월 미국 오리건주에 위치한 인텔 'D1X'에 EXE:5000을 출하한 바 있다.삼성전자 등도 이르면 내년 High-NA EUV 설비를 도입할 것으로 알려졌다.
SK하이닉스도 2026년 설비를 1대 도입해,토모리 잉글랜드 등번호High-NA EUV에 대한 연구개발을 적극 진행할 예정이다.설비를 도입하는 팹이나 추가 투자 향방 등 구체적 계획은 밝혀지지 않았으나,이르면 0a(한 자릿수 나노급 D램)에 양산 적용될 수 있을 것으로 전망된다.
이와 관련,토모리 잉글랜드 등번호SK하이닉스는 High-NA EUV 기술개발을 위한 팀을 지난해 말 별도로 구성하기도 했다.기존에도 회사 내 EUV 및 High-NA EUV를 포괄적으로 개발하는 조직이 존재했으나,토모리 잉글랜드 등번호이를 세분화해 전문성을 강화하려는 전략으로 풀이된다.
한 SK하이닉스 소속 엔지니어는 "최근 High-NA EUV 팀이 신설돼 여기에 합류해 연구개발을 진행 중"이라며 "최선단 D램에 관련 기술을 적용하는 방안을 꾸준히 검토하고 있다"고 설명했다.
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