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(서울=뉴스1) = 안덕근 산업통상자원부 장관이 26일(현지시간) 미국 워싱턴 D.C.상무부에서 열린 '제1차 한·미·일 산업장관회의'에서 발언을 하고 있다.(산업통상자원부 제공) 2024.6.27/뉴스1 안덕근 산업통상자원부 장관은 지나 러몬도 미국 상무부 장관과 함께 27일(현지시간) 미국 워싱턴 D.C.에서 한-미 양국 반도체협회가 공동 주최하는 '한-미 공급망·산업 대화(SCCD) 반도체 포럼'에 참석했다. 
SCCD 포럼은 지난해 4월 윤석열 대통령의 미국 국빈 방문 계기로 개최된 '제1차 한-미 공급망·산업 대화'에서 양국 반도체 협력 강화를 위해 만든 포럼이다.
이 포럼에는 산업부·미(美)상무부와 삼성전자,SK하이닉스,인텔,IBM,시놉시스 등 양국 주요 반도체 기업 및 기관에서 참석했다.참석자들은 양국 반도체 산업 현안인 △기술개발 △인력양성 △공급망 안정에 대해 현황을 점검하고 이 분야에서의 양국간 협력 강화방안을 논의했다.
양국 반도체 협회는 반도체 공급망 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결하고 반도체 포럼을 정례화하기로 했다.인공지능(AI) 등 신흥 시장에서의 비즈니스 협력,기술개발·인력양성·투자 활성화 등을 위한 협력도 추진하기로 했다.
안 장관은 개회사를 통해 "글로벌 연구개발(R&D) 투자 확대 및 신설된 '한-미 산업기술 협력센터'를 통해 양국 간 기술 협력을 지원하고 석박사·청년 인력 교류 확대를 통한 인력 부족 문제를 공조하겠다"며 "올 하반기 미국 현지에 설립될 '한-미 인공지능(AI) 반도체 혁신센터'가 양국 산업계 교류 활성화에 기여하고 반도체 포럼도 양국 민관간 자유로운 소통의 장이 되기를 기대한다"고 말했다.
아울러 산업부는 이날 미국 워싱턴 D.C.에서 '한-미 첨단산업 기술협력 포럼'을 열고 양국 기술협력의 거점으로 예일,존스홉킨스,조지아텍,퍼듀 등 미국 최우수 4개 대학에 '한-미 산업기술 협력센터'를 개소했다.
이 포럼에는 안 장관,타임슬롯 교환돈 그레이브 미 상무부 부장관 등 양국 정부와 기업,산학연 전문가 등 200여명이 참석해 한-미 첨단기술 협력 확대 방안을 논의했다.
산업부는 올해 하반기부터 차세대 성장동력 확보를 위해 중대형(100억원 내외),중장기(최대 5년) 국제공동 연구개발(R&D) 프로젝트에 착수할 예정이다.우리 기업들은 올해 45개 과제 공모에 247개 컨소시엄이 응모하는 등 글로벌 기술협력에 높은 관심을 보였다.
산업부는 협력센터를 통해 미국 대학과 한국기업간 R&D 기획,타임슬롯 교환연구자 매칭 등 우수 협력과제를 발굴할 계획이다.각 대학은 전담 코디네이터 배치,연구공간 제공 등 지원업무를 담당한다.
안 장관은 환영사를 통해 "글로벌 복합 위기와 도전에 대응하기 위해서는 우방국 간 연대와 협력이 필수적"이라며 "협력센터를 거점으로 한미간 굳건한 기술 동맹을 구축해 세계를 선도하는 산업혁신을 이루어 나갈 계획"이라고 밝혔다.
