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SK하이닉스 이천캠퍼스 전경SK하이닉스가 추진 중인 미국‘첨단 패키징 생산시설’건립이 속도를 낼 전망이다.이는 인디애나주 웨스트 라피엣시가 SK하이닉스가 신청한 용지 변경안을 최종 승인했기 때문이다.

6일(현지시각) 웨스트 라피엣시의회는 SK하이닉스가 제출한 토지 용지 변경안을 찬성 6표,반대 3표로 통과시켰다.이에 따라 총 40억달러(약 5조5000억원) 규모의 반도체 생산시설 건립이 공식 추진된다.

SK하이닉스는 지난해 4월,퍼듀대학교 산하 퍼듀리서치재단이 보유한 부지에 새 반도체 생산 시설을 짓겠다는 계획을 발표했다.초기 예정지는 예이거로드 북쪽,칼베러로드 인근의‘A부지’였으나,SK하이닉스는 교통이 편리한 살리스버리 스트리트와 칼베러로드 교차점의‘B부지’로 변경을 추진했다.하지만 해당 부지가 인근 주택단지와 가까워 주민들의 반발이 거셌다.주민들은 화학물질 유출 위험,트럭 통행 증가,생활 환경 악화 등을 우려하며 공청회에서 강하게 반대했다.

SK하이닉스는 지역 사회와 지속적으로 소통하며 B부지가 공장 운영에 최적이라는 점과 지역경제에 미칠 긍정적 효과를 강조했다.레이첼 하자리 그레이터라피엣커뮤니티(GLC) 이사회 의장은 “이 정도 규모의 사업은 당연히 의문을 낳을 수 있지만,동시에 중요한 시사점을 제공한다”며 “SK하이닉스의 투자는 글로벌 네트워크와 지역 뿌리를 동시에 갖춘 첨단 경제로의 전환을 위한 토대가 된다”고 말했다.

인디애나주 웨스트 라피엣은 SK하이닉스가 고대역폭 메모리(HBM) 등 AI 메모리용 첨단 패키징 생산시설과 연구개발(R&D) 센터를 건설하려는 핵심 지역이다.SK하이닉스는 이를 위해 퍼듀대 등 현지 연구기관과 협력하고 있다.또 앞서 미국 정부로부터 최대 4억5800만달러(약 6720억원)의 보조금과 5억달러(약 7336억원)의 대출을 지원받기로 했다.향후 현지 공장은 ▲올해 상반기 설계 완료 및 인허가 승인 ▲올해 하반기 기반 공사 및 착공 ▲2026~2027년 공장 건설 및 설비 설치 ▲2027~2028년 설비 시험 및 시운전 ▲2028년 하반기 양산 및 정식 가동 등 순을 거칠 것으로 보인다.

SK하이닉스는 인디애나주에 첨단 시설을 구축하고 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산한다는 방침을 세운 상태다.또 현지 생산기지와 R&D 시설을 토대로 현지에서 1000개 이상 일자리를 창출하겠다는 포부를 밝혔다.이는 HBM 성장과 무관하지 않다.트렌드포스에 따르면 HBM 시장 점유율은 지난해 기준 SK하이닉스가 52.5%,삼성전자가 42.4%,마이크론이 5.1%다.

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