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양사 기술 협업해 2025년 HBM4 양산 예정최태원 SK그룹 회장이 세계 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 기업인 TSMC 웨이저자 회장을 만나 AI 반도체 경쟁력 강화를 위한 양사 협력을 한층 강화하기로 했다.
최 회장은 6일(현지 시간) 대만 타이베이에서 TSMC 웨이저자 회장 등 대만 IT 업계 주요 인사들과 만나 AI 및 반도체 분야 협업 방안 등을 논의했다.이날 곽노정 SK하이닉스 사장도 동석했다.
최 회장은 “인류에 도움되는 AI 시대 초석을 함께 열어가자”고 메시지를 전하고,야구 몇명고대역폭 메모리(HBM) 분야에서 SK하이닉스와 TSMC의 협력을 강화하는데 뜻을 모았다.
SK하이닉스는 HBM4(6세대 HBM) 개발과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 지난 4월 TSMC와 기술 협력에 대한 양해각서(MOU)를 체결한 바 있다.
SK하이닉스는 HBM4부터 성능 향상을 위해 베이스 다이(Base Die) 생산에 TSMC의 로직(Logic) 선단 공정을 활용할 계획이다.회사는 이 협력을 바탕으로 HBM4를 2025년부터 양산한다는 계획이다.
베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 한다.HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다.
이와 함께,야구 몇명양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 패키징 기술인 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate) 결합도 최적화하고,야구 몇명HBM 관련 고객들의 요청에도 공동 대응하기로 했다.
CoWoS는 TSMC가 특허권을 갖고 있는 고유 공정으로 인터포저 (Interposer) 라는 특수 기판 위에 로직 칩인 GPU/xPU와 HBM을 올려 연결하는 패키징 방식이다.수평(2D) 기판 위에서 로직 칩과 수직 적층(3D)된 HBM이 하나로 결합하는 형태라 2.5D패키징으로도 불린다.
최 회장의 AI 및 반도체 분야 글로벌 협력을 위한‘광폭 행보’는 지난해 연말부터 계속되고 있다.AI 및 반도체 분야에서 고객들의 광범위한 욕구를 충족시킬 수 있는 글로벌 협력 생태계 구축의 중요성이 커지고 있기 때문이다.
최 회장은 지난해 12월 극자외선(EUV) 노광장비 생산기업인 네덜란드 ASML 본사를 찾아 SK하이닉스와 EUV용 수소 가스 재활용 기술과 차세대 EUV 개발을 끌어냈다.지난 4월에는 미국 새너제이 엔비디아 본사에서 젠슨 황 CEO를 만나 양사 파트너십 강화 방안을 논의했다.
SK그룹 관계자는 “최 회장의 최근 행보는 한국 AI 반도체 산업과 SK 사업 경쟁력 강화를 위해 글로벌 협력 네트워크를 구축하는 것이 중요하다는 판단에 따른 것"이라고 말했다.
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