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삼성 파운드리 포럼서 향후 성장 전망 밝혀
2028년 고객 수 작년 대비 4배 증가 예상
“GAA 고객 피드백 많아”…AMD 수주 기대 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024) 현장.[삼성전자 제공] ![12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024) 현장.[삼성전자 제공]](https://imgnews.pstatic.net/image/016/2024/06/13/20240613050221_0_20240613103007129.jpg?type=w647)
[헤럴드경제=김현일 기자] 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 부문의 인공지능(AI) 칩 관련 매출과 고객 수가 향후 크게 증가할 것이라고 전망했다.
송태중 삼성전자 파운드리 사업부 상무는 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린‘삼성 파운드리 포럼 2024’미디어 설명회에서 “2028년 AI 칩 관련 매출이 지난해 대비 9배로 증가할 것으로 예상하고 있다”고 밝혔다.
송태중 상무는 “올해 AI 칩 매출은 작년 대비 1.8배 수준이 될 것”이라며 내년부터 매출이 크게 증가할 것으로 내다봤다.고객 수 역시 “작년보다 올해는 2배로 늘어나고,인스태즈2028년에는 4배로 증가할 것”으로 예상했다.다만 기준으로 삼은 지난해 매출과 고객 수는 밝히지 않았다.
그는 “특정 고객은 언급할 수 없지만 현재 AI 칩 주문을 계속 받고 있다”며 “메모리와 파운드리,패키징 솔루션 제공이 가능한 업체는 삼성뿐이다.이는 AI 칩에 중요한 요소들”이라고 강조했다.
앞서 미국 팹리스(반도체 설계전문) AMD가 3나노미터(㎚) 제품부터 게이트올어라운드(GAA) 공정을 채택하겠다고 밝히면서 삼성 파운드리의 AMD 수주 가능성이 제기됐다.
GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 게이트가 둘러싸는 형태로,전류의 누설을 막아 기존 핀펫 구조보다 전력 효율성이 높은 것이 장점이다.현재 3나노 공정에서 GAA 기술을 적용한 기업은 삼성전자가 유일하다. 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024) 현장.[삼성전자 제공] ![12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024) 현장.[삼성전자 제공]](https://imgnews.pstatic.net/image/016/2024/06/13/20240613050222_0_20240613103007133.jpg?type=w647)
삼성전자는 2022년 6월 업계에서 가장 먼저 3나노부터 GAA를 도입했다.올해 하반기 2세대 3나노 공정 양산을 시작할 계획이며 2나노에도 GAA를 적용한다는 방침이다.
송 상무는 “톱티어 고객에게 특히 GAA 관련 피드백을 많이 받고 있다”며 “삼성은 GAA 3나노로 시작해 2나노로 발전하고 있으며 현재 GAA를 제공하는 파운드리는 삼성이 유일하다”고 강조했다.
삼성전자가 AI 칩 시장을 지배하고 있는 엔비디아를 파운드리 고객사로 확보할 지도 관심사다.엔비디아는 현재 첨단 AI 칩 생산을 대만 TSMC에 전적으로 맡기고 있다.
이에 대해 송 상무는 “엔비디아는 AI와 그래픽처리장치(GPU)에서 중요한 업체로 (우리가) 매우 집중하고 있는 고객”이라고 말했다.
한편,인스태즈삼성전자는 엔비디아에 고대역폭 메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 등의 품질 테스트를 진행 중이다.앞서 로이터통신은 소식통을 인용해 삼성전자의 HBM이 아직 엔비디아의 테스트를 통과하지 못했다고 보도한 바 있다.
이에 대해 김인동 메모리사업부 상무는 “고객들과 무엇을 하고 있는지에 대해서는 언급하기 어렵다”면서도 “현재 협력 중”이라고 말했다.
HBM에서 D램을 수직으로 쌓아올릴 때 사용하는 삼성전자의 NCF 기술에 대해 김 상무는 “삼성은 NCF 기술에 자신 있으며 가치(밸류)가 있다고 보고 있다”며 “하이브리드 본딩 역시 마찬가지로,우리는 양 기술의 장점을 활용해 고객에게 이익을 줄 수 있는 최적의 방식을 찾을 것”이라고 전했다.
삼성전자가 자체 개발한 NCF 기술은 비전도성 접착 필름으로 칩 사이의 갭을 채운다.이를 통해 갭 내 공극(void) 없이 칩을 쌓아 올릴 수 있는 것이 강점으로 꼽힌다.
