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![박명재 SK하이닉스 HBM설계 담당 부사장.[사진출처 = SK하이닉스]](https://imgnews.pstatic.net/image/009/2024/06/27/0005325636_001_20240627134312768.jpg?type=w647)
이날 박명재 SK하이닉스 고대역폭메모리(HBM) 설계 담당 부사장은 자사 뉴스룸에 공개한 인터뷰를 통해 ”압도적인 성능과 특성을 앞세운‘HBM3’(제품으)로 높은 시장 점유율 확보했고 올해 3월에는‘HBM3E’양산해 고객에게 가장 먼저 공급했다”며 이같이 밝혔다.
SK하이닉스는 지난 2009년 고성능 메모리 수요가 증가할 것으로 보고 실리콘관통전극(TSV) 기술에 주목해 HBM 개발에 약 4년의 시간을 들였다.그 결과 2013년 12월 첫 HBM을 세상에 내놓게 됐다.
박 부사장은 “2010년대 중후반 HBM 설계 조직은 공공연히‘오지’로 불렸으며 이 사업에 대한 업계의 비관론도 쏟아졌다”며 “하지만 우리의 고유 기술력을 보여줄 기회라 생각했고 이는 HBM2E를 비롯한 후속 제품 개발의 원동력이 됐다”고 말했다.
박 부사장은 아울러 최근 경쟁사인 삼성전자의 HBM 팀이 SK하이닉스로 넘어와 기술을 개발했다는 루머에 대해‘사실무근’이라고 반박했다.
박 부사장은 “경쟁사에서 우리 HBM 설계 조직에 들어온 인력은 1명도 없다”며 “SK하이닉스 HBM은 명확하게 당사 자체 기술로 우리의 기술력이 그만큼 대단하기에 헛된 루머가 돌 정도로 유명세를 치렀다고 생각한다”고 전했다.
2020년대 들어 HBM3 주도권 경쟁이 치열해지는 가운데 SK하이닉스는 공격적인 기술 개발 및 투자로 1위 자리를 확고히 했다.
시장조사기관 트렌드포스에 따르면 지난해 전 세계 HBM 시장점유율은 SK하이닉스 53%,고주삼성전자 38%,미국 마이크론 9% 순이었다.
이와 관련 박 부사장은 SK하이닉스의 HBM 성공 비결로‘성능·품질·시장 대응력’을 꼽았다.
그는 “당사는 업계 최고의 속도와 성능을 갖췄다”며 “특히 고유의 MR-MUF 기술은 발열을 가장 안정적으로 줄여 세계 최고 성능을 구현했다”고 강조했다.
이어 그는 “세대마다 성능은 50% 높이고 전력 소모는 기존 수준을 유지하고자 했다”며 “패키지,고주미래기술연구원과의 협업과 함께 전문성을 가진 조직들이 솔루션을 도출해 세계 최고 성능의 HBM3E가 나왔다”고 말했다.
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