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갤럭시링,데미지스킨 저장 슬롯삼성 반도체 전력관리 IC 칩 'S2MUA02' 탑재
올인원 칩…'작은 크기'와 '긴 사용시간' 동시 충족 기여![[서울=뉴시스]삼성전자의 갤럭시 링에는 삼성전자의 액세서리 전력관리 IC 칩인 'S2MUA02'가 들어갔다.저전력 기술을 통해 웨어러블 기기의 가장 큰 경쟁력인 '작은 크기'와 '긴 사용시간'을 동시에 충족하는데](https://imgnews.pstatic.net/image/003/2024/07/16/NISI20240716_0001603123_web_20240716105406_20240716113424367.jpg?type=w647)
[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자가 지난 11일 사전 판매에 들어간 웨어러블 기기 '갤럭시 링'은 회사가 처음 선보이는 반지 형태의 제품이다.
특히 삼성전자의 저전력 기술을 통해 웨어러블 기기의 가장 큰 경쟁력인 '작은 크기'와 '긴 사용시간'을 동시에 충족하는데 기여한 점이 눈길을 끈다.
16일 업계에 따르면 갤럭시 링에는 삼성전자의 액세서리 전력관리 IC 칩인 'S2MUA02'가 들어갔다.
이 부품은 한번 충전으로 최대 7일동안 사용할 수 있는 것이 가장 큰 특징이다.또 무선 웨어러블 기기 설계에 최적화된 통합 전력관리칩(PMIC) 기술을 이 전력 반도체에 적용했다.여러 개의 다양한 칩들이 '올 인 원' 형태로 들어가 배터리 등에 더 많은 공간을 할애할 수 있게 한다.
삼성전자는 온디바이스 AI를 맞아 저전력 반도체 제품 시장에서 경쟁력을 끌어 모으고 있다.
AI는 상대적으로 더 많은 전력 사용이 불가피한 만큼,데미지스킨 저장 슬롯전력 소모는 줄이면서도 고성능을 내는 제품군이 각광을 받을 수밖에 없는 상황이다.
삼성전자는 갤럭시 링과 함께 출시한 최신형 스마트워치인 '갤럭시 워치7·워치 울트라'에도 전력 효율을 높인 웨어러블 AP(애플리케이션 프로세서) '엑시노스 W1000'을 탑재했다.
삼성전자의 2세대 3나노 공정이 적용된 AP는 절전 모드서 최대 100시간을 사용할 수 있는 등 전력 성능을 극대화했다.
삼성전자는 이와 함께 저전력 메모리 시장 선점에도 나선다.삼성전자는 대만 반도체 설계 기업인 미디어텍(MediaTek)과 업계 최고 속도인 10.7Gbps(기가비트퍼세컨드) 저전력 D램(LPDDR5X D램) 동작 검증을 완료했다고 밝혔다.
이 메모리는 이전 세대 대비 동작 속도와 소비 전력을 25% 이상 개선했다.저전력∙고성능 특성이 요구되는 '온디바이스 AI(On-device AI)' 시대에 안성 맞춤인 제품이다.
시장분석기관 마켓앤마켓에 따르면 글로벌 온디바이스 AI 시장은 2022년 185억달러에서 2030년 1739억달러로,데미지스킨 저장 슬롯연평균 37% 이상의 성장률을 보이며 9배 이상 성장할 것으로 전망된다.
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