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AMD·인텔 검증 작업 중…SK하이닉스,올해 1c D램 양산 예정

(서울=연합뉴스) 강태우 기자 = 글로벌 메모리 반도체 3위인 미국 마이크론이 10나노(㎚)급 6세대 D램 시제품을 출하했다.

삼성전자와 SK하이닉스도 차세대 메모리인 10나노급 6세대 D램 상용화에 속도를 내고 있어 업체 간 경쟁은 더욱 격화될 전망이다.

마이크론 D램 로드맵
[마이크론 제공.재판매 및 DB 금지]

26일 마이크론은 자사 홈페이지에 차세대 중앙처리장치(CPU)용으로 설계된 1γ(감마) 공정 기반의 DDR5 샘플을 인텔,애견 하우스 슬롯AMD 등 잠재 고객사에 출하했다고 발표했다.고객사 검증 작업을 마친 뒤 대량 양산에 돌입할 것으로 예상된다.

1γ(감마) 공정은 6세대 10나노급 D램을 뜻하는 마이크론의 표기 방식으로,반도체 업계에선 통상 1c 공정을 가리킨다.

10나노대 D램부터는 세대별로 알파벳 기호를 붙여 1x(1세대),1y(2세대),투네이션 룰렛 정리1z(3세대),1a(4세대),1b(5세대),1c(6세대)로 구분하고 있다.

마이크론에 따르면 1γ 기반 16Gb(기가비트) DDR5는 최대 9200MT/s의 데이터 처리 속도를 구현한다.이전 세대보다 속도는 최대 15% 증가하고 전력 소모량은 20% 이상 줄었다.

특히 이번 D램 개발에서 마이크론은 극자외선(EUV) 노광 장비를 처음으로 도입,적용했다.EUV 사용으로 웨이퍼당 저장용량(비트)을 전작 대비 30% 이상 향상할 수 있었다는 게 마이크론의 설명이다.

EUV는 초미세 공정에 필수적인 장비로 삼성전자,SK하이닉스도 이미 첨단 D램에 EUV를 적용 중이다.

SK하이닉스는 마이크론보다 앞서 1c D램 개발,양산에 나선 것으로 알려졌다.

지난해 8월 SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb DDR5 D램 개발에 성공했다고 발표했다.이는 지난 2023년 2분기부터 1b 기술이 적용된 제품을 양산한 데 이어 1년여 만에 이룬 성과다.

이미 작년 하반기에 1c 양산성을 확보했으며 올해 하반기 일반 D램에 적용해 양산을 시작할 예정이다.

지난달 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(부사장)은 임직원 소통 행사에서 10나노급 6세대 D램에 관해 "매스퀄이 났다"고 말한 것으로 전해졌다.매스퀄은 양산 인증을 의미한다.

SK하이닉스는 DDR5뿐 아니라 향후 7세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E 등에 6세대 기술을 적용한다는 계획이다.

삼성전자는 1c D램을 6세대 HBM인 HBM4에 적용하기 위해 기존 설계보다 칩 사이즈를 키우고 수율과 안정성을 높이는 방향으로 재설계를 진행하고 있는 것으로 알려졌다.