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한권환 SK하이닉스 HBM융합기술 부사장./SK하이닉스 제공
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한권환 SK하이닉스 HBM 융합기술 부사장은 26일 “올해 주력으로 생산될 5세대 고대역폭메모리(HBM)인‘HBM3E 12단’제품은‘HBM3E 8단’보다 공정 기술 난도가 높다”며 “차세대 HBM 제품은 진화하는 제품 세대에 따라 기술적인 과제가 더욱 늘어날 것”이라고 밝혔다.

이날 한 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 “HBM 시장 우위를 위해서는 기술력은 물론 최상의 제품을 적시에 고객에게 제공할 수 있어야 한다”며 이같이 밝혔다.이어 “올해 가장 중요한 과제는 늘어나는 고대역폭 메모리(HBM) 시장 수요에 안정적으로 대응하고,서든 핵 슬롯제차세대 HBM 양산을 위한 기술적 준비를 탄탄히 하는 것”이라고 말했다.

2002년 SK하이닉스에 입사한 한 부사장은 어드밴스드 패키징 개발 부서에 재직하며 모든 세대 HBM 제품 개발과 양산을 이끈 주역으로,황제 슬롯지난해 말‘2025년 신임 임원’으로 선임됐다.그는 HBM융합기술 조직을 총괄하며 제품 양산성 향상과 차세대 HBM으로의 원활한 전환을 위한 새로운 기술적 토대를 마련하는 등의 중책을 수행할 예정이다.

한 부사장은 특히 제품 개발 및 생산량을 급격히 늘려가는 과정에서 예상치 못한 변수가 추가로 발생할 수 있다고 봤다.HBM융합기술 조직은 이런 변수를 사전에 예측해 대응전략 마련에 집중할 계획이다.

한 부사장은 “단순히 생산량을 늘리는 것이 아니라 효율적인 운영 체계를 구축하는 것이 더욱 중요해졌다”며 “생산 라인의 유연성을 높이고 고객과의 협력을 강화해 자사 HBM 경쟁력을 극대화하겠다”고 말했다.

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