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삼성전자가 평택 신규 반도체 팹(Fab) 'P5' 기초 공사에 다시 돌입한다.반도체 업황 회복세가 본격화됨에 따라 수요 증가에 대비한 생산 능력 확대 차원으로 풀이된다.
24일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 30일 이사회 내 경영위원회를 열고 P5 기초 공사 건에 대한 안건을 상정,발더스게이트3 주문 슬롯가결한 것으로 확인됐다.경영위원회는 한종희 대표 겸 DX부문장을 위원장으로 노태문 MX사업부장,발더스게이트3 주문 슬롯박학규 경영지원실장,발더스게이트3 주문 슬롯이정배 메모리사업부장이 참여하는 기구다.
삼성전자는 지난 1월 말 P5 기초 공사를 잠시 멈춘 바 있다.땅 고르기 및 흙을 퍼내는 등 부지 터 닦기 작업을 진행하다 시황을 고려해 투자 시점 조율에 들어간 것이다.당시 공사를 담당하는 삼성물산이 협력사에 공사 중단을 요청하며 알려졌는데,발더스게이트3 주문 슬롯이에 대해 삼성전자 측은 “일정 조율을 위한 일시적인 조치”라며 “투자가 중단된 것은 아니다”고 밝혔다.
P5 공사 일정이 늦어지자 '1년에 팹 1곳 신설(One Year One New Fab)' 전략에 차질이 발생한것이 아니냐는 지적도 나왔다.그러나 4개월만에 기초 공사 진행을 경영위원회에서 결정하면서 이같은 우려를 일축했다.
삼성전자가 결정은 인공지능(AI) 열풍으로 급증하는 메모리 반도체 수요 때문으로 분석된다.AI 가속기에 장착되는 고대역폭메모리(HBM)뿐 아니라,생성형 AI 학습 데이터 용량 증가에 따라 낸드플래시 수요도 반등하고 있다.이에 경쟁사인 SK하이닉스,발더스게이트3 주문 슬롯마이크론도 생산능력을 확대하고 상황이다.
특히 HBM 투자가 집중되면서 D램 생산 라인 증설도 필요한 상황이다.HBM은 D램 투입 웨이퍼가 많아 현재보다 많은 생산 능력이 요구된다.또 온디바이스 AI 확산에 따른 모바일 및 PC에 탑재되는 범용 D램 수요도 점진적으로 늘어날 것으로 예상된다.
삼성전자는 지난 1분기 실적 설명회를 통해 올해만 HBM 공급규모를 비트그로스(bit) 기준 전년 대비 3배 이상 늘린다고 밝혔다.현재 진행 중인 엔비디아 품질 테스트를 통과하면 공급 규모는 훨씬 더 커질 예정이다.
P5는 클린룸 4개로 지어진 P1~P4와 달리 클린룸 8개가 들어가는 대형 팹으로 알려졌다.그만큼 시장 수요에 대응한 대규모 생산 능력 확보가 가능하다.P5의 구체적인 용도는 확정되지 않았지만,메모리 뿐 아니라 시스템반도체 수요도 대응할 수 있을 것으로 관측된다.
P5 기초 공사는 이르면 3분기에 시작될 것으로 보인다.삼성물산과 삼성엔지니어링 공사 계약을 고려하면 완공 시점은 2027년 4월로 추정되지만,발더스게이트3 주문 슬롯시황에 따라 가동 시점은 훨씬 앞당겨질 수 있다.우선적으로 구축된 라인부터 우선 양산이 가능하기 때문이다.
삼성전자 관계자는 이에 대해 “공사 일정에 대해서는 확인이 불가하다”고 말했다.
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