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[인터뷰] 곽철호 칩스케이 대표"칩스케이는 650V급 8A 및 15A GaN(질화갈륨) 전력반도체를 개발해냈습니다.GaN 전력반도체는 그간 전량 수입에 의존해 온 제품이죠.올 하반기 본격적인 양산에 돌입하게 되면,차세대 전력반도체를 국산화하는 첫 사례가 됩니다"
곽철호 칩스케이 대표는 최근 경기 안양시 소재의 본사에서 기자들과 만나 올해 회사의 핵심 사업 전략에 대해 이같이 설명했다. 곽철호 칩스케이 대표(오른쪽)와 차호영 칩스케이 CTO(왼쪽)이 웨이퍼를 들고 기념사진을 촬영하고 있다(사진=칩스케이) 
GaN은 기존 반도체 소재인 실리콘 대비 밴드갭(전기전도도)이 넓은 'WBG(와이드밴드갭)' 소재다.밴드갭이 넓어질수록 전자의 움직임이 자유로워져,고전압 및 고온,고주파수 환경에서의 동작이 유리하다.전기의 흐름을 제어하는 스위칭 속도도 빠르다.
다만 GaN은 설계 및 제조공정 면에서 기술적 진입장벽이 높다.때문에 GaN 전력반도체는 인피니언 등 해외 기업들로부터 전량 수입에 의존할 수밖에 없었다.
곽철호 대표와 차호영 최고기술책임자(CTO)는 GaN 전력반도체 국산화를 목표로 지난 2017년 칩스케이를 공동 설립했다.곽철호 대표는 20년 이상 아날로그 회로 및 화합물 반도체 설계를 맡아 왔다.홍익대학교 전자전기공학부 교수로도 재임 중인 차호영 CTO는 GaN 소자 관련 최고의 권위자로 꼽힌다.
곽 대표는 "GaN 전력반도체는 초기 시장 형성 단계이기 때문에 빠른 시장 선점이 필요한데,중국 등에 비해 국내 업계의 투자가 많이 부족한 상황"이라며 "칩스케이는 자체 GaN 소자 설계 기술을 바탕으로 국내는 물론,해외 시장에 진출할 예정"이라고 밝혔다.
칩스케이는 이를 위해 GaN 소자 제품군을 확장 개발하고 있다.회사 설립 후 5G·6G 등 무선통신을 위한 RF(무선주파수) 트랜지스터 개발을 완료했으며,지난 달에는 650V급 8A 및 15A GaN 전력반도체 개발에 성공했다.
해당 GaN 전력반도체는 고속충전기용으로 올해 하반기 상용화를 앞두고 있다.국내 팹리스 이미지스와 지난해 공급계약을 체결하는 등 여러 업체들과의 공급 논의도 이미 활발히 진행되고 있다. 칩스케이가 개발한 650V GaN 전력반도체 특성(자료=칩스케이) 
나아가 칩스케이는 데이터센터용 기술 개발을 위한 100V급 제품과 전기차 온보드충전기를 위한 650V 이상의 고전압 제품을 개발하고 있다.상용화 목표 시기는 각각 2025년,2027년이다.이외에도 구동회로가 패키지에 일체화된 SiP(시스템인패키지),GaN 기반의 SoC(시스템온칩) 등을 출시할 예정이다.
차 CTO는 "칩스케이는 GaN과 관련한 차별화된 IP(설계자산)와 특허를 다수 보유하고 있다"며 "전력소자의 핵심인 발열에 대한 전문성 있는 설계,경쟁사 대비 칩을 소형으로 구현할 수 있다는 점도 칩스케이의 경쟁력"이라고 설명했다.
칩스케이는 이 같은 기술력과 사업 전략을 기반으로 회사의 매출 성장세를 자신했다.
칩스케이의 지난해 매출은 77억원으로,대부분 RF 트랜지스터 분야에서 발생했다.올해에는 GaN 전력반도체 초도 물량 공급으로 매출이 128억원으로 성장할 것으로 관측된다.2026년에는 매출을 380억원까지 끌어올리는 것이 목표다.
IPO(기업공개)에 대한 밑그림도 그리고 있다.2026년 말에 기술특례상장으로 코스닥 시장에 입성하는 방안이 가장 유력하다.
곽 대표는 "칩스케이는 지속적인 기술개발에 대한 성과를 인정받아 지금까지 105억 원의 투자를 유치했고,720 1080앞으로도 GaN 전력반도체를 중심으로 성장세를 이룰 것"이라며 "또한 국내 GaN 공급망 강화를 위해 향후 삼성전자,720 1080DB하이텍,SK키파운드리 등 국내 파운드리를 활용하는 방안도 추진할 것"이라고 강조했다.
