꾼 부채 탕감의 방 - 2024년 실시간 업데이트
파운드리 포럼서 로드맵 공개
메모리·AVP와 묶어 턴키 서비스
2027년부터 신공정 기술 도입
소비전력·성능 개선한 SF2Z 생산
4나노 SF4U는 내년부터 양산 
이를 위해 파운드리·메모리·어드밴스패키징(AVP)을 하나로 묶어 AI 솔루션 턴키(일괄) 서비스를 강화,꾼 부채 탕감의 방최첨단 반도체 개발부터 생산까지 소요시간을 약 20% 감소시키는 경쟁력 강화전략도 내놨다.
삼성전자는 12일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 사옥에서 '삼성 파운드리 포럼'을 개최하고 글로벌 팹리스(반도체 설계회사) AI 수요 대응계획을 발표했다.
송태중 삼성전자 파운드리사업부 상무는 미디어 설명회에서 "올해 AI 칩 매출은 작년 대비 1.8배 수준이 될 것"이라며 "내년부터 매출이 크게 증가,꾼 부채 탕감의 방2028년에는 지난해 대비 9배로 증가할 것으로 예상하고 있다"고 밝혔다.이어 "고객 수는 작년보다 올해는 2배로 늘어나고,2028년에는 4배로 증가할 것"이라고 예상했다.
삼성전자는 AI 반도체를 오는 2027년부터 후면전력공급(BSPDN) 기술을 적용한 2나노미터(1㎚=10억분의 1m)의 삼성파운드리2Z(SF2Z)로 생산하기로 했다.AI 반도체는 그래픽처리장치(GPU),꾼 부채 탕감의 방고대역폭메모리(HBM),고성능반도체 등으로 구성된다.BSPDN은 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치,꾼 부채 탕감의 방전력과 신호라인의 병목현상을 개선하는 기술이다.
SF2Z는 기존 2나노 공정 대비 PPA(소비전력·성능·면적)를 개선한다.또 전류의 흐름을 불안정하게 만드는 '전압강하' 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능컴퓨팅 설계 성능을 향상시킬 수 있다.이와 함께 삼성전자는 PPA경쟁력을 갖춘 4나노 공정(SF4U)을 공개하고 내년부터 양산키로 했다.또 삼성전자는 AI 턴키 솔루션을 통해 HBM과 로직칩,꾼 부채 탕감의 방광학소자까지 하나로 묶어 고객에게 제공할 예정이다.
파운드리 포럼 기조연설에서 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 "가장 중요한 것은 AI 구현을 가능하게 하는 고성능·저전력 반도체"라고 강조했다.이어 "삼성전자는 AI 반도체에 최적화된 차세대 트랜지스터 '게이트올어라운드(GAA)' 공정기술과 적은 전력소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학소자 기술로 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것"이라고 강조했다.
AI의 미래는 에너지 소비와 비용의 효율적인 솔루션이 필요한 만큼 삼성전자의 고성능·저전력 컴퓨팅을 위한 AI 솔루션이 높은 시장 경쟁력을 갖췄다는 설명이다.
특히 이날 포럼에서는 AI 반도체 시장을 이끄는 엔비디아가 삼성 파운드리 고객이 될지에 대한 관심이 높았다.다만 삼성전자 측은 "엔비디아를 포함해 모든 고객에게 집중하고 있다"며 모든 가능성을 열어놨다.한편 이날 삼성전자는 'AI: 익스플로어링 파서빌리티즈 앤드 퓨처'를 주제로 세이프 포럼도 개최했다.
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