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슬롯 프로그레시브 무료228);padding-left: 20px; padding-right: 20px;">삼성파운드리포럼2024 미국서 개최
후면전력공급 등 신기술 로드맵 공개
후면전력공급 등 신기술 로드맵 공개
삼성전자는 12일(현지시간) 미국 산호세 DS사업부 본사에서‘삼성 파운드리 포럼 2024’를 개최하고 고객사와 글로벌 미디어를 대상으로 AI반도체 전략을 공개했다.
엔비디아,AMD 같은 데이터센터향 고성능 AI반도체(AI가속기)를 만드는 기업들에게 위탁생산,고대역폭메모리(HBM),패키징까지 하나로 묶어서 서비스하겠다는 것이다.삼성전자에 따르면 파운드리,슬롯 프로그레시브 무료메모리,패키징 통합 AI솔루션 사용하면 각각 사용하는 것보다 시간이 20% 단축 가능하다.
대표적인 AI반도체 기업인 엔비디아가 위탁생산과 패키징을 TSMC에 맡기고,슬롯 프로그레시브 무료고성능 HBM은 SK하이닉스로부터 나눠 공급받는 것과 비교되는 전략이다.
최시영 삼성전자 파운드리 사업부 사장은 이날 기조연설에서 “AI 시대 가장 중요한 건 AI 구현을 가능케 하는 고성능·저전력 반도체”라며 “AI 반도체에 최적화된 게이트올어라운드(GAA) 공정 기술과 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다.
삼성전자는 새로운 미세공정 로드맵을 제시하는 대신 기존 공정을 업그레이드한 계획을 발표했다.광학소자 기술을 사용한 4나노 공정인 SF4U를 내년부터 대량생산에 들어가고‘후면전력공급(BSPDN)’을 도입한 공정을 2027년 2나노 공정에 도입한다.1.4나노 공정은 예정대로 2027년에 양산에 도입한다.
‘후면전력공급’은 전력선을 웨이퍼 후면에 배치하는 고난도 기술로 아직 상용화가 되지 않았다.이것이 실제 상용화가 될 경우 전력소모가 줄어들고 반도체의 성능을 크게 높일 수 있다.
세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC는 2026년 말 2나노 이하 1.6공정에‘후면전력공급’기술을 도입하겠다고 밝힌 바 있다.
이날 행사에는 파운드리 사업부의 송태중 상무,메모리 사업부의 김인동 상무,패키징 부문의 전희정 상무가 함께 무대에 올라‘원팀’의 모습을 보여줬다.
르네 하스 ARM 최고경영자(CEO)와 조나단 로스 그록 CEO 등 업계 주요 관계자들도 참석했다.
[실리콘밸리=이덕주 특파원]
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